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產(chǎn)品詳細頁
熱電堆紅外探測器
- 產(chǎn)品型號：
- 更新時間：2025-12-15
- 產(chǎn)品介紹：熱電堆紅外探測器 每個熱電堆探測器的基座由所謂的熱電偶形成。 由于兩種不同金屬（塞貝克效應）的熱擴散電流，它會產(chǎn)生一個電壓。
- 廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商
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產(chǎn)品介紹
| 品牌 | Micro-Hybrid | 價格區(qū)間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 組件類別 | 光學元件 | 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子/電池,航空航天,綜合 |
熱電堆紅外探測器
每個熱電堆探測器的基座由所謂的熱電偶形成。 由于兩種不同金屬（塞貝克效應）的熱擴散電流，它會產(chǎn)生一個電壓。
應用:
遠距離溫度測試
“應用是由客戶設備的設計來定義的。我們的產(chǎn)品組合提供準時和整體測量的產(chǎn)品。"
（Micro-Hybrid有限公司研發(fā)部主管Steffen Biermann）
工藝和產(chǎn)品溫度是制造工藝的重要物理指標。 監(jiān)測溫度確保生產(chǎn)線的高質(zhì)量水平。 遠程溫度測量非常適用于大距離，移動部件或適用于各種工業(yè)領域的高溫應用。
優(yōu)點：
響應時間短
無反應測量，對測量對象無影響
沒有破壞
連續(xù)實時監(jiān)控溫度臨界時間
熱電堆紅外探測器
我們在-20°C190°C的外殼溫度范圍內(nèi)提供不同測量要求的傳感器類型。 我們的探測器適用于高溫測量的大多數(shù)應用領域。
應用 | 產(chǎn)品 |
準時的溫度測量 | TS1 × 80B-A-D0.48-1-Kr-B1 |
積分溫度測量 | TS1 × 200B-A-D3.55-1-Kr-A1 |
高溫環(huán)境下的溫度測量 | TS1 × 80B-A-D0.48-1-Kr-B1-190 |
NDIR紅外氣體分析
Micro-Hybrid提供NDIR氣體分析的完整產(chǎn)品系列。 即使是惡劣的環(huán)境也不會阻礙我們的客戶升級自己的應用。
優(yōu)點：
快速，可重復，長期穩(wěn)定地測定各種紅外活性氣體的濃度
高精度和高分辨率的限制
在低漂移下的使用壽命長，無化學反應
高溫能力（190°C）
測量穩(wěn)定性高，即使在惡劣的環(huán)境下
NDIR氣體分析方案
確保和監(jiān)測過程穩(wěn)定性的氣體濃度的測量，在涉及氣體的所有工業(yè)過程中是關(guān)重要的。 氣體濃度的準確和可再現(xiàn)的檢測是應用的重要組成部分，特別是在醫(yī)療和環(huán)境技術(shù)中。 此外，NDIR（非分散紅外）氣體分析可以在私人或工業(yè)領域進行寬帶或高度選擇性的有害物質(zhì)檢測，例如監(jiān)測和檢測爆炸性氣體和污染物。
它是測量這種氣體濃度的光學分析工具。 關(guān)于與紅外活性氣體的光學相互作用，NDIR分析是一個快速而有效的過程。
NDIR氣體測量的應用領域：
根據(jù)不同的功能原理和我們的元件組合，我們會結(jié)合適合您的測量任務對應氣體傳感器解決方案。 您可以從我們的產(chǎn)品查找器中訂購單個產(chǎn)品樣品或直接的NDIR氣體分析專家。
氣體傳感器
CO2 氣體傳感器 | 甲烷氣體傳感器 |
耐190°C高溫 | 耐190°C高溫 |
紅外光源
JSIR 350-4 | JSIR 350-5 | JSIR 450 |
高頻率 | 超高頻率的 | "超高的輻射強度 |
熱電堆探測器
TS 80 | TS 200 |
高溫應用 | 高靈敏度手持設備 |
熱釋電探測器
電流模式 | 電壓模式 |
*的靈敏度 | 電壓模式低頻率 |
特征：
使用BiSb / Sb等佳材料獲得良好的熱電堆效應：
世界上棒的探測靈敏度*
靈敏度高達295 V / W
Micro-Hybrid相關(guān)產(chǎn)品使用，其*性高于其他紅外光源探測器產(chǎn)品組合
*高7.2 x 108 cm Hz1 / 2 / W
結(jié)構(gòu)概況
用于高溫應用的熱電堆探測器
在高溫環(huán)境下對機器和過程進行溫度監(jiān)測是一個的挑戰(zhàn)。 我們的高溫熱電堆探測器*符合各種工業(yè)應用中的高溫等特殊要求。
特征：
應用環(huán)境溫度可高達190°C
焊接濾波片（可選）
高靈敏度
耐高濕
適合化學分析過程
抵御侵蝕性氣體如甲烷，二氧化硫等
用于不同的溫度范圍和測量任務的熱釋電傳感器可以在這里找到：
信號作為測量對象溫度的函數(shù)
測量物體溫度變化時的信號II
通過改變環(huán)境溫度來修改信號
修改
我們的熱電堆傳感器可以在我們廣泛的可應用范圍內(nèi)進行調(diào)節(jié)：傳感器芯片，紅外濾波片等。 通過這種方式，可以在各種應用條件下始終獲得佳的測量結(jié)果。
產(chǎn)品選擇
TS1x200B-A-D3.55
單通道熱電堆探測器
基于MEMS技術(shù)的用于NDIR氣體分析的高敏感熱電堆探測器。
靈敏度[V / W] | 100 |
D* [cmHz?/W] | 3.6x10^8 |
光圈[mm2]: | 3.55 dia |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO39 |
應用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 1 |
TS1x200B-B-D2.4
單通道熱電堆探測器
基于MEMS技術(shù)的用于NDIR氣體分析的高度敏感的熱電堆探測器。
靈敏度[V / W] | 100 |
D* [cmHz?/W] | 3.6x10^8 |
光圈[mm2]: | 2.4 dia |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO46 |
應用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 1 |
TS1x80B-A-D0.48
單通道熱電堆探測器
基于MEMS技術(shù)的擁有較小有效區(qū)域的熱電堆探測器;推薦用于使用帶通濾波器的溫度測量。
靈敏度[V / W] | 295 |
D* [cmHz?/W] | 7.2x10^8 |
光圈[mm2]: | 0.48 dia |
工作溫度[°C] | -20 … +85 |
封裝模式 | TO39 |
應用 | 溫度測量 |
通道數(shù) | 1 |
TS1x80B-A-D0.75
單通道熱電堆探測器
基于MEMS技術(shù)的具有較小有效區(qū)域的熱電堆探測器;推薦用于帶有帶通濾波器(8-14µm)的溫度測量。
靈敏度[V / W] | 295 |
D* [cmHz?/W] | 7.2x10^8 |
光圈[mm2]: | 0.75 dia |
工作溫度[°C] | -20 … +85 |
封裝模式 | TO39 |
應用 | 溫度測量 |
通道數(shù) | 1 |
TS1x80B-A-D0.75-…-180
單通道熱電堆探測器
基于MEMS技術(shù)的具有較小有效區(qū)域的熱電堆探測器; 推薦用于在高溫環(huán)境下使用帶通濾波器（8-14 Lm）進行溫度測量。
靈敏度[V / W] | 295 |
熱電堆探測器 | D* [cmHz?/W] |
D* [cmHz?/W] | 7.2x10^8 |
熱電堆探測器 | 光圈[mm2]: |
光圈[mm2]: | 0.75 dia |
熱電堆探測器 | 工作溫度[°C] |
工作溫度[°C] | -20 … +180 |
封裝模式 | TO39 |
熱電堆探測器 | 應用 |
應用 | 溫度測量 |
熱電堆探測器 | 通道數(shù) |
通道數(shù) | 1 |
TS2x200B-A-S1.5
雙通道熱電堆探測器
用于NDIR氣體分析的基于MEMS技術(shù)的帶有窄帶濾光片的高靈敏度熱電堆雙探測器。
靈敏度[V / W] | 100 |
D* [cmHz?/W] | 3.6x10^8 |
光圈[mm2]: | 1.5 x 1.5 |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO39 |
應用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 2 |
TS4x200B-A-S1.5
四通道熱電堆探測器
用于NDIR氣體分析的基于MEMS技術(shù)的帶有窄帶濾波器的四通道熱電堆探測器。
靈敏度[V / W] | 100 |
D* [cmHz?/W] | 3.6x10^8 |
光圈[mm2]: | 1.5 x 1.5 |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO39 |
應用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 4 |
TS4xQ200B-A-S1.5
四通道熱電堆探測器
基于薄膜技術(shù)的高靈敏度四通道熱電堆檢測器，帶窄帶過濾器，用于氣體分析。
通過“單芯片"解決方案對接電氣和物理通道參數(shù)。
靈敏度[V / W] | 80 |
D* [cmHz?/W] | 2.95x10^8 |
光圈[mm2]: | 1.5 x 1.5 |
工作溫度[°C] | -20 … +70 |
封裝模式 | TO39 |
應用 | NDIR氣體分析 |
通道數(shù) | 4 |
